Máy hàn que New Energy 315A
Chi tiết sản phẩm Thông số kỹ thuật Đánh giá/phản hồi (0) Hỏi đáp (0) hẩm máy hàn điện tử Máy hàn que New Energy 315A, Sử dụng công nghệ biến tần IGBT, tiết kiệm diện tích của máy biến áp chủ, nâng cao hiệu suất hàn lên đến 30%, bền hơn với mạch dò nhiệt và bảo vệ. Sử
CƠ KHÍ ĐA NĂNG
@co-khi-da-nangĐánh giá
Theo Dõi
Nhận xét
Chi tiết sản phẩm Thông số kỹ thuật Đánh giá/phản hồi (0) Hỏi đáp (0) hẩm máy hàn điện tử Máy hàn que New Energy 315A, Sử dụng công nghệ biến tần IGBT, tiết kiệm diện tích của máy biến áp chủ, nâng cao hiệu suất hàn lên đến 30%, bền hơn với mạch dò nhiệt và bảo vệ. Sử dụng được que hàn từ 1,6 - 4.0 ly, thuộc dòng máy hàn 315A cho mối hàn rất đẹp. Thích hợp với tất cả vật liệu hàn bằng sắt, công suất cực mạnh. Máy được sử dụng rộng rãi trong xây dựng, cơ sở hàn, thiết bị cơ khí, xe, tàu, Công ty quảng cáo. ƯU ĐIỂM CỦA MÁY HÀN DÙNG CÔNG NGHỆ MỚI IGBT SO VỚI MOSFET HIỆN TẠI ( Trích dẫn dựa theo website: 1. IGBT là gì? IGBT viết tắt của cụm từ tiếng anh Insulated Gate Bipolar Transistor : Transistor có cực điều khiển cách ly là một linh kiện bán dẫn công suất 3 cự kết hợp khả năng đóng cắt nhanh của MOSFET và khả năng chịu tải lớn của transistor thường. Mặt khác IGBT cũng là phần tử điều khiển bằng điện áp, do đó công suất điều khiển yêu cầu sẽ cực nhỏ IGBT là một loại van công suất tuyệt vời. Khác với thysistor, IGBT cho phép bạn đóng cắt một cách vô tư bằng cách đặt điện áp điều khiển lên hai cực G và E. Điện áp ra đo được trên van rất đồng dạng với điện áp điều khiển. IGBT thường dùng trong các mạch biến tần hay các bộ băm xung áp một chiều. Driver của IGBT cũng sẵn có ở Việt Nam, nhưng giá cả thì hơi cao. 2. Cấu tạo và nguyên lý hoạt động Cấu trúc mạch tương đương IGBT Về cấu trúc bán dẫn, IGBT rất giống với MOSFET, điểm khác nhau là có thêm lớp nối với collector tạo nên cấu trúc bán dẫn p-n-p giữa emiter (tương tự cực gốc) với collector (tương tự vớicực máng), mà không phải là n-n như ở MOSFET. Vì thế có thể coi IGBT tương đương với một transistor p-n-p với dòng base được điều khiển bởi một MOSFE Dưới tác dụng của áp điều khiển Uge>0, kênh dẫn với các hạt mang điện là các điện tử được hình thành, giống như ở cấu trúc MOSFET.Các điện tử di chuyển về phía collector vượt qua lớp tiếp giáp n-p như ở cấu trúc giữa base và collector ở transistor thường, tạo nên dòng collector. 3. Ưu điểm và hạn chế của IGBT IGBT hiện nay được người ta hy vọng nó dần dần sẽ thay thế tất cả các loại khóa còn lại. Bên cạnh những ưu điểm vượt trội thì vẫn còn một số những hạn chế nhất định Ưu điểm: – Cho phép đóng cắt dễ dàng, chức năng điều khiển nhanh – Chịu áp lớn hơn MOS, thường 600V tới 1.5kV, những loại lớn hơn thì hơi đặc biệt. – Tải dòng lớn, cỡ xấp xỉ 1KA. Sụt áp bé và cũng điều khiển bằng áp. Hạn chế: Giá sản phẩm trên Tiki đã bao gồm thuế theo luật hiện hành. Bên cạnh đó, tuỳ vào loại sản phẩm, hình thức và địa chỉ giao hàng mà có thể phát sinh thêm chi phí khác như phí vận chuyển, phụ phí hàng cồng kềnh, thuế nhập khẩu (đối với đơn hàng giao từ nước ngoài có giá trị trên 1 triệu đồng).....
Sản Phẩm Tương Tự
Sản Phẩm Liên Quan
Tấm Chắn Dầu Mỡ Cách Nhiệt Dùng Trong Nhà Bếp C3156 Hàng Xuất Nhật kích thước 84x39x0.4cm (họa tiết ngẫu nhiên)
19.000₫
Đã bán 4