Chip Thẻ Nhớ IC Chính Hãng W25N01GVZEIG WSON-8 3V 1Gb

1. Mô TẢ CHUNG Bộ nhớ Flash NAND nối tiếp W25N01GW (1G-bit) cung cấp giải pháp lưu trữ cho các hệ thống có Không gian hạn chế, chân cắm và nguồn điện. Họ SpiFlash W25N kết hợp giao diện SPI phổ biến và Không gian bộ nhớ NAND lớn không bay hơi truyền thống. Chúng lý tưởng để đổ bóng mã vào RAM, thực thi Mã trực tiếp từ DualQuad SPI (XIP) và lưu trữ giọng nói, văn bản và dữ liệu. Thiết bị hoạt động trên một Nguồn điện 1,70V đến 1,95V với mức tiêu thụ hiện tại thấp nhất là 25mA và 10UA cho chế độ chờ. Tất cả Các thiết bị gia đình SpFlash W25N được gắn trong các bãi đậu tiết kiệm không gian, không thể sử dụng trong Quá khứ ftor bộ nhớ flash NAND điển hình. Mảng bộ nhớ W25N01GW 1G-bt được sắp xếp thành 65.536 trang có thể lập trình, mỗi trang 2 048 byte. Toàn bộ trang có thể được lập trình cùng một lúc bằng cách sử dụng dữ liệu cho bộ tạo tín hiệu intermal 2.048-Byte. Trang trí Có thể xóa theo nhóm 64 (xóa khối 128KB). W25n01gw có 1 .024 khối có thể xóa được. W25n01gw hỗ trợ Giao diện ngoại vi nối tiếp (SP) tiêu chuẩn. Duavquad 10 SPI: Đồng hồ nối tiếp, Chọn Chip. Dữ liệu nối tiếp 100 DD. V01 (DO), VO2 WP) và VO3 VHLD). Tần số đồng hồ SPI lên đến 104mhz được hỗ trợ cho phép đế cắm tương đương 208MHz (104MHz x 2) cho Dual io và 4 16MHz (104mhz x 4) cho Quad 1O khi sử dụng hướng dẫn F ast Read DualQuad VO. W25n01gw chứng minh Chế độ đọc liên tục mới cho phép truy cập hiệu quả vào môi trường Mảng bộ nhớ với một lệnh Đọc duy nhất. Tính năng này lý tưởng cho các ứng dụng đổ bóng mã. Chốt Giữ, chốt Ghi Bảo vệ và bảo vệ ghi có thể lập trình, cung cấp khả năng linh hoạt kiểm soát thêm. Ngoài ra, thiết bị còn hỗ trợ nhà sản xuất tiêu chuẩn JEDEC và ID thiết bị, một iID duy nhất 2.048-Byte Trang, một trang tham số 2.048-Byte và mười trang OTP 2.048-Byte. Để cung cấp fash NAND tốt hơn Khả năng quản lý bộ nhớ, ECC bên trong có thể định cấu hình của người dùng, quản lý khối xấu cũng có sẵn trong W25n01gw. 2. Tính NĂNG ●Gia đình kỷ niệm SpiFlash W25N mới - W25n01 GW.1G-bit 1 128M-byte - Spi tiêu chuẩn: CLK, ICS, Dl, DO, MP Giữ - Spi kép: CLK, ICS, 10%, 101, NP, / 1Hold - Quad SPt: CLK, ICS, 10%, 10, 1O2, 10 giây - Các lệnh flash seral SPI tương thích ●Flash NAND nối tiếp hiệu suất cao nhất - Đồng hồ SPI chuẩn 104MHz / DualQuad - 208 / 41 6MHz DuaVQuad SPI tương đương - Tốc độ truyền dữ liệu tiện lợi 40MB / S - Hiệu suất ProgramVErase nhanh - Hơn 100.000 chu kỳ xóa / chương trình - Lưu giữ dữ liệu hơn 10 năm ●"Chế độ đọc liên tục" thành công 0) - Phương pháp thay thế cho Bufer Read Chế độ - Không cần cấp dữ liệu trang Đọc " Giữa các lệnh Đọc - Alows quyền truy cập đọc chết chóc vào toàn bộ Mảng ●Công suất thấp, phạm vi nhiệt độ rộng - Nguồn cung cấp đơn 1,70V đến 1,95V - Hoạt động 25mA, dòng chờ 10μA - Phạm vi hoạt động 40 * C đến + 85 * C ●Kiến trúc linh hoạt với khối 128KB - Xóa khối 128K-Byte đồng nhất - Phương pháp tải dữ liệu trang d linh hoạt . Foatures nâng cao - Trên chip ECC 1-Bit cho mảng bộ nhớ - Các bit trạng thái ECC cho biết kết quả ECC - Quản lý khối